金年会

射频高速测试座

射频高速测试座

• 间隔距离:≥0.3mm• 功率:≥3-5A• 低阻值及自感,好耐磨损能性及自的清洁• 带宽起步:≥15-40GHz@-1dB• 适于 QFN/DFN & LGA等封装类型